[Alumnos] Propuestas de labo 6 y 7 y Trabajos de Seminario de Física : charlas en la Jornada MeMOSat (fwd)

[Lista de los Alumnos del Departamento de Fisica]

From: Carlos Acha <acha en df.uba.ar>

Subject: Propuestas de labo 6 y 7 y Trabajos de Seminario de Física : charlas en
      la Jornada MeMOSat

                                    Propuestas de Labo 6 y 7 y de Trabajos de Seminario

                                       Jornada Abierta sobre Memorias No Volátiles
                                           para uso Satelital / Proyecto MeMOSat

                   Jueves 8 de marzo, de 15 a 19hs, Aula Federman, 1er piso, Pab I, Ciudad Universitaria


 
Efectos de memoria en óxidos, y memorias no volátiles del tipo ReRAM
Luego de 40 años de desarrollo sostenido, existe consenso en que las posibilidades de miniaturización en la industria
electrónica de semiconductores no podrán ser extendidas más allá del próximo decenio. Los componentes de los circuitos
integrados están alcanzando dimensiones del orden de las decenas de nanómetros y la opinión general es que esta escala es
el tope para la tecnología actual basada en silicio. Por lo tanto, en los últimos años ha comenzado una verdadera carrera
de I+D en la búsqueda de nuevos materiales y mecanismos para seleccionar la base tecnológica de una nueva generación de
dispositivos electrónicos.
Desde hace unos años, un grupo de investigadores de UBA-CNEA-INTI-UNSAM-CONICET nos enfocamos el área de materiales
(óxidos, en particular) con posibles aplicaciones en memorias resistivas no-volátiles (ReRAM). Esta tecnología ha
emergido con fuerza en los últimos años, debido a sus atractivas prestaciones (por ejemplo, velocidades de conmutación en
la escala de los nanosegundos, muy bajo consumo y alta potencialidad de miniaturización). El aprovechamiento del efecto
de RS para el desarrollo de memorias ReRAM se dará en materiales en forma de película delgada (depósitos por sputtering y
ablación laser), y accediendo a su miniaturización por intermedio de procesos litográficos.
Nuestra temática de trabajo tiene interés básico y aplicado.  Realizamos trabajos experimentales (micro-fabricación de
muestras y medición de sus propiedades), y teóricos (estudio de mecanismos involucrados, y simulación de su
comportamiento).
Varias empresas dedican importantes esfuerzos al estudio y puesta a punto de prototipos de memoria no volátil basados en
RS (ReRAM): Samsung, HP, UNITY, iHP, IMEC entre otras. En enero de este año, se anunció que la tecnología ReRAM alcanzó
una perfomance comparable a la de otras tecnologías ya presentes el mercado.
http://www.bbc.co.uk/news/technology-16725529
En el ámbito nacional, hemos recibido señales de interés en nuestra iniciativa por parte de las Instituciones a las que
pertenecemos, de  la filial de duPont, de INVAP S.E. y de la Comisión Nacional de Actividades Espaciales.

En estas Jornadas Abiertas, algunos de los investigadores participantes del Proyecto MeMOSat, orientado a estudiar
memorias no volátiles para su potencial uso en satélites, darán un pantallazo sobre sus actividades específicas, y
contarán sus planes a corto y mediano plazo en el área.

Son bienvenidos alumnos de grado y posgrado que quieran enterarse de los alcances y posibilidades del Proyecto MeMOSat.
Se ofrecen oportunidades de realizar Laboratorios 6 y 7 y Seminarios en esta temática.

Dr. Carlos Acha, por el Comité Organizador JAMNV_2012 en FCEN.UBA
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Nombre     : Info_JornadasAbiertas_FCEN_2012.pdf
Tipo       : application/pdf
Tamaño     : 542202 bytes
Descripción: 
Url        : http://mail.df.uba.ar/pipermail/alumnos/attachments/20120302/1d37a1cf/attachment.pdf