[Alumnos] RECORDATORIO: HOY 15 hs. Federman - Propuestas de labo 6 y 7 y Trabajos de Seminario de Física: charlas en la Jornada MeMOSat

[Lista de los Alumnos del Departamento de Fisica]

                                                                                 HOY
                                                         Propuestas de Labo 6 y 7 y de Trabajos de Seminario

                                                            Jornada Abierta sobre Memorias No Volátiles
                                                                para uso Satelital / Proyecto MeMOSat



Jueves 8 de marzo, de 15 hs, Aula Federman, 1er piso, Pab I, Ciudad Universitaria
 
Efectos de memoria en óxidos, y memorias no volátiles del tipo ReRAM
Luego de 40 años de desarrollo sostenido, existe consenso en que las posibilidades de miniaturización en la industria electrónica de semiconductores no podrán ser
extendidas más allá del próximo decenio. Los componentes de los circuitos integrados están alcanzando dimensiones del orden de las decenas de nanómetros y la
opinión general es que esta escala es el tope para la tecnología actual basada en silicio. Por lo tanto, en los últimos años ha comenzado una verdadera carrera de
I+D en la búsqueda de nuevos materiales y mecanismos para seleccionar la base tecnológica de una nueva generación de dispositivos electrónicos.
Desde hace unos años, un grupo de investigadores de UBA-CNEA-INTI-UNSAM-CONICET nos enfocamos el área de materiales (óxidos, en particular) con posibles
aplicaciones en memorias resistivas no-volátiles (ReRAM). Esta tecnología ha emergido con fuerza en los últimos años, debido a sus atractivas prestaciones (por
ejemplo, velocidades de conmutación en la escala de los nanosegundos, muy bajo consumo y alta potencialidad de miniaturización). El aprovechamiento del efecto de
RS para el desarrollo de memorias ReRAM se dará en materiales en forma de película delgada (depósitos por sputtering y ablación laser), y accediendo a su
miniaturización por intermedio de procesos litográficos.
Nuestra temática de trabajo tiene interés básico y aplicado.  Realizamos trabajos experimentales (micro-fabricación de muestras y medición de sus propiedades), y
teóricos (estudio de mecanismos involucrados, y simulación de su comportamiento).
Varias empresas dedican importantes esfuerzos al estudio y puesta a punto de prototipos de memoria no volátil basados en RS (ReRAM): Samsung, HP, UNITY, iHP, IMEC
entre otras. En enero de este año, se anunció que la tecnología ReRAM alcanzó una perfomance comparable a la de otras tecnologías ya presentes el mercado.
http://www.bbc.co.uk/news/technology-16725529
En el ámbito nacional, hemos recibido señales de interés en nuestra iniciativa por parte de las Instituciones a las que pertenecemos, de  la filial de duPont, de
INVAP S.E. y de la Comisión Nacional de Actividades Espaciales.

En estas Jornadas Abiertas, algunos de los investigadores participantes del Proyecto MeMOSat, orientado a estudiar memorias no volátiles para su potencial uso en
satélites, darán un pantallazo sobre sus actividades específicas, y contarán sus planes a corto y mediano plazo en el área.

Son bienvenidos alumnos de grado y posgrado que quieran enterarse de los alcances y posibilidades del Proyecto MeMOSat. Se ofrecen oportunidades de realizar
Laboratorios 6 y 7 y Seminarios en esta temática.

Dr. Carlos Acha, por el Comité Organizador JAMNV_2012 en FCEN.UBA