Subject: [Depfis] Fwd: [MATCOND] MiÃ©rcoles 6/4 14hs - Federico Tessler - Seminario del Depto de Mate ria Condensada

From: Pablo Levy <[email-masked]> (by way of Carlos Acha <[email-masked]>)
Date: Fri, 01 Apr 2016 14:14:16 -0300

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                      SEMINARIO EXTRAORDINARIO
                  Departamento de Materia Condensada
                        GIyA, Tandar, CAC-CNEA.

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  Conmutación Resistiva en aisladores de Mott: 
hacia una computación neuromórfica

                                      Federico Tesler

                       Departamento de Física, FCEN, UBA

  SEMINARIO: Martes 6 de Abril, 14 hs. Aula Nivel 0.

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                             RESUMEN

  La computación actual, basada en una 
arquitectura de Von Newmann, ha experimentado un 
impresionante avance en las últimas décadas, 
sustentado por el rápido desarrollo de la 
tecnología basada en silicio. Sin embargo, trás 
más de 50 años de la formulación de la Ley de 
Moore, los componentes electrónicos más pequeños 
están alcanzando unos meros 10nm, hallándose 
cerca de su límite físico. En este contexto, 
nuevos enfoques y tecnologías son necesarios para 
sostener el avance hacia computadores de mayor 
capacidad y de menor consumo energético. Una 
alternativa que se encuentra en intenso 
desarrollo es la de “computación neuromórfica”. 
Es una arquitectura de inspiración biológica, 
basada en la estrucura del sistema nervioso, y 
cuyos componentes básicos son las neuronas y sus 
interconexiones (“sinapsis”). En este contexto, 
el fenómeno de Conmutación Resistiva (CR) y los 
dispositivos “memristores” han surgido como una 
tecnología competitiva para la futura generación 
de electrónica. Este fenómeno consiste en un 
cambio abrupto en la resistencia de un material 
ante la aplicación de pulsos eléctricos de muy 
baja duración (de hasta microsegundos o menores) 
, y que tiene la particularidad de ser reversible 
y por lo general (semi) permanente (“no-volátil”).
En esta presentación contaré investigacines 
recientes de CR en aisladores de Mott de la 
familia de compuestos AM4Q8  (A = Ga, Ge; M = V, 
Nb, Ta, Mo; Q = S, Se), en donde es posible 
obtener tanto conmutaciones volátiles como 
no-volátiles.  Hablaré sobre modelados y aspectos 
de ambos modos de conmutación y sobre el primer 
paso realizado hacia su aplicación en sistemas 
neuromórficos: el desarrollo y modelado de una neurona artificial.

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  Recuerden que pueden consultar el cronograma en la página del DMC:

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