[Depfis] Conferencia IEEE

[Área de Difusión DF, FCEyN, UBA]

CAPITULO ARGENTINO DE LA IEEE ELECTRON DEVICES SOCIETY (en formación)

Conferencia

"Ruptura del aislante de puerta en estructuras MOS: modelos físicos y 
aplicaciones"

Dr. Enrique Miranda

Conferencista Distinguido de la EDS.

Dirigido a: Profesionales y estudiantes interesados en temas
electrónica, microelectrónica y física de los semiconductores.

Más info: ver archivo adjunto.

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Área de Difusión,
Departamento de Física Juan José Giambiagi,
FCEyN, UBA.


------------ próxima parte ------------
Estimados colegas,

les agradecería hagan difusión de la siguiente conferencia gratuita organizada por la IEEE la semana próxima.
saludos

Sergio Baron

anuncio para difusion a continuación:

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CAPITULO ARGENTINO DE LA IEEE ELECTRON DEVICES SOCIETY (en formación)


Conferencia

"Ruptura del aislante de puerta en estructuras MOS:
modelos físicos y aplicaciones"

Dr. Enrique Miranda – Conferencista Distinguido de la EDS.


Dirigido a: Profesionales y estudiantes interesados en temas electrónica, microelectrónica y física de los semiconductores.

Temario:
Cuando el aislante de puerta de una estructura MOS
(Metal-Oxido-Semiconductor) se somete a un estrés eléctrico, se generan
trampas o defectos en el seno del material que finalmente provocan su
ruptura dieléctrica. Este evento se caracteriza por un cambio abrupto
en el mecanismo de conducción a través del aislante: de una corriente
de túnel distribuida en área se pasa a una corriente altamente
localizada. Si bien la estadística de fallas es consistente con los
modelos percolativos de generación de defectos, poco es lo que se
conoce respecto a la física de la conducción de post-ruptura. Es recién
en los últimos años que han surgido numerosos modelos para explicar el
transporte electrónico bajo dichas circunstancias. En este encuentro
discutiremos la física asociada a estos modelos y su potencial
incorporación en simuladores circuitales del tipo SPICE. 

Orador: Dr. Enrique Miranda

Enrique Miranda nació en
Buenos Aires, Argentina en 1963. Es Licenciado y Doctor en Física por
la Universidad de Buenos Aires (UBA) y Magíster y Doctor en Ingeniería
Electrónica por la Universitat Autònoma de Barcelona (UAB), España.
Entre los años 1989-2003 ejerció como Profesor en la Facultad de
Ingeniería-UBA. En 2001 fue nombrado Investigador del Consejo Nacional
de Investigaciones Científicas y Técnicas (CONICET). Actualmente es
Profesor permanente en la Escola Tècnica Superior d'Enginyeria
(ETSE-UAB). El Dr. Miranda ha recibido numerosas becas de investigación
tales como INTERCAMPUS (Universidad de Zaragoza-España), MUTIS (UAB),
DAAD (Technische Universität Hamburg-Alemania), beca del gobierno
italiano (Universita degli Studi di Padova-Italia), RAMON Y CAJAL
(UAB), MATSUMAE (Tokyo Institute of Technology-Japón) y TAN CHIN TUAN
(Nanyang Technological University-Singapur). Es autor o coautor de 70
publicaciones en revistas internacionales, la mayoría relacionadas con
los mecanismos de conducción en dieléctricos delgados. Desde 2001 es
miembro del Consejo Editor de la revista Microelectronics Reliability y
desde 2005 forma parte del comité científico del INFOS (Insulating
Films on Semiconductors Conference). En 2003, el Dr. Miranda se
incorporó al programa de Lectores Distinguidos de la Electron Devices
Society (EDS-IEEE). <!--
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Fecha y hora: 
Martes 14 de Agosto 18:30 hs.

Lugar de realización: 
Auditorio IEEE/CICOMRA – Av. Córdoba 744 – Piso 1 B, Capital Federal.

Inscripción:
Esta conferencia no es arancelada, pero agradeceremos inscribirse con antelación por contar con vacantes limitadas.* E-mail: 
sec.argentina en ieee.org .teléfono IEEE/CICOMRA (011) 4325 8839




       
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