[Depfis] Jornada Memosat: charlas y propuestas de labo 6 y 7 y Trabajos de Seminario de Física

[Carlos Acha]

Jornada Abierta sobre Memorias No Volátiles
para uso Satelital / Proyecto MeMOSat
Jueves 8 de marzo, de 15 a 19hs, Aula Federman, 
1er piso, Pab I, Ciudad Universitaria

Efectos de memoria en óxidos, y memorias no volátiles del tipo ReRAM
Luego de 40 años de desarrollo sostenido, existe 
consenso en que las posibilidades de 
miniaturización en la industria electrónica de 
semiconductores no podrán ser extendidas más allá 
del próximo decenio. Los componentes de los 
circuitos integrados están alcanzando dimensiones 
del orden de las decenas de nanómetros y la 
opinión general es que esta escala es el tope 
para la tecnología actual basada en silicio. Por 
lo tanto, en los últimos años ha comenzado una 
verdadera carrera de I+D en la búsqueda de nuevos 
materiales y mecanismos para seleccionar la base 
tecnológica de una nueva generación de dispositivos electrónicos.
Desde hace unos años, un grupo de investigadores 
de UBA-CNEA-INTI-UNSAM-CONICET nos enfocamos el 
área de materiales (óxidos, en particular) con 
posibles aplicaciones en memorias resistivas 
no-volátiles (ReRAM). Esta tecnología ha emergido 
con fuerza en los últimos años, debido a sus 
atractivas prestaciones (por ejemplo, velocidades 
de conmutación en la escala de los nanosegundos, 
muy bajo consumo y alta potencialidad de 
miniaturización). El aprovechamiento del efecto 
de RS para el desarrollo de memorias ReRAM se 
dará en materiales en forma de película delgada 
(depósitos por sputtering y ablación laser), y 
accediendo a su miniaturización por intermedio de procesos litográficos.
Nuestra temática de trabajo tiene interés básico 
y aplicado.  Realizamos trabajos experimentales 
(micro-fabricación de muestras y medición de sus 
propiedades), y teóricos (estudio de mecanismos 
involucrados, y simulación de su comportamiento).
Varias empresas dedican importantes esfuerzos al 
estudio y puesta a punto de prototipos de memoria 
no volátil basados en RS (ReRAM): Samsung, HP, 
UNITY, iHP, IMEC entre otras. En enero de este 
año, se anunció que la tecnología ReRAM alcanzó 
una perfomance comparable a la de otras tecnologías ya presentes el mercado.
<http://www.bbc.co.uk/news/technology-16725529>http://www.bbc.co.uk/news/technology-16725529
En el ámbito nacional, hemos recibido señales de 
interés en nuestra iniciativa por parte de las 
Instituciones a las que pertenecemos, de  la 
filial de duPont, de INVAP S.E. y de la Comisión 
Nacional de Actividades Espaciales.

En estas Jornadas Abiertas, algunos de los 
investigadores participantes del Proyecto 
MeMOSat, orientado a estudiar memorias no 
volátiles para su potencial uso en satélites, 
darán un pantallazo sobre sus actividades 
específicas, y contarán sus planes a corto y mediano plazo en el área.

Son bienvenidos alumnos de grado y posgrado que 
quieran enterarse de los alcances y posibilidades 
del Proyecto MeMOSat. Se ofrecen oportunidades de 
realizar Laboratorios 6 y 7 y Seminarios en esta temática.

Dr. Carlos Acha, por el Comité Organizador JAMNV_2012 en FCEN.UBA
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Nombre     : Info_JornadasAbiertas_FCEN_2012.pdf
Tipo       : application/pdf
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