[Depfis] Charla de Jorge Sofo postergada

[pablot en df.uba.ar]

Hola,

Sepan disculpar que la charla de Jorge Sofo será postergada
hasta el lunes siguiente, 21 de julio, a las 14 hs.

Jorge es un experto en materia condensada, cálculos ab initio
y estructura electrónica del grafeno y materiales afines.
Si alguien desea charlar un rato con él, por favor avíseme
y arreglamos un horario. El estará en el Depto el miércoles 16
y el lunes 21.

Muchas gracias. Saludos,

Pablo Tamborenea



pablot en df.uba.ar escribió:

> Charlas informales MaMbMc: Molecular-atómica/Many-body/Materia condensada
>
> Lunes 14, 14 hs, Aula Federman
>
> Dará una charla el Prof. Jorge O. Sofo, del Departamento de Física
> y Departamento de Ciencia e Ingeniería de Materiales de la
> Universidad Estatal de Pennsylvania
>
> TITULO
>
> Apantallamiento de impurezas cargadas: un mecanismo alternativo para
> la detección de gases con grafeno o nanotubos de carbono
>
> ABSTRACT
>
> En detección de gas con nanotubos de carbono o grafeno, el cambio de
> conductancia debido a la adsorción de moléculas ha sido
> tradicionalmente atribuído al cambio de la densidad de portadores
> debido a la transferencia de carga entre la muestra y las moléculas
> adsorbidas. Sin embargo, esta explicación tiene muchos problemas
> cuando se aplica al caso de NO y NO2: el aumento de impurezas
> Coulombianas debería disminuir la movilidad; sin embargo, esto no se
> observa en los experimentos; la densidad de portadores es controlada
> por el voltaje de compuerta en la configuración experimental; hay
> inconsistencias en la energética de la transferencia de carga. En esta
> charla, se explora un mecanismo alternativo. Grupos funcionales
> cargados y moléculas dipolares adsorbidas sobre la superficie de
> grafeno pueden contrarrestar el efecto de las impurezas cargadas del
> sustrato. Dado que la colisión de los portadores con estas impurezas
> cargadas es el factor limitante en la conductividad de grafeno,
> cambios producidos por los adsorbatos se traduce en cambios
> significativos en el comportamiento de transporte. Nuestro modelo usa
> la función dieléctrica del grafeno calculada en RPA y la primera
> aproximación de Born para calcular el tiempo de relajación producido
> por las impurezas. El modelo predice la existencia de magnitudes
> óptimas para la carga y el momento dipolar. El apantallamiento dipolar
> es generalmente más débil que el producido por impurezas cargadas;
> aunque el primero es más eficaz con grafeno fuertemente dopado. El
> modelo también predice que con el aumento de cantidad de adsorbatos,
> las impurezas cargadas eventualmente se saturan y adsorción adicional
> siempre conducen a la disminución de la conductividad.
>
>
> Los esperamos!
>
>
>
> * Dr. Pablo I. Tamborenea
> * Profesor Asociado D.E.
> * Departamento de Física, FCEN, UBA
> * http://www.df.uba.ar/users/pablot
>
>
>
>
> ============================================================
> El uso de la lista implica la aceptacion de las reglas de netiquette  
> (RFC 1855). Sus mensajes seran almacenados y estaran disponibles  
> publicamente en la web. Evite comentarios ofensivos. No se permite  
> el envio de mensajes con fines comerciales. El no cumplimiento de  
> estas reglas puede implicar la suspension o el cancelamiento  
> inmediato de la suscripcion a la lista.
>
> Ud. puede desuscribirse libremente entrando a  
> http://mail.df.uba.ar/mailman/listinfo/todos
>
> Por favor, no envíe mensajes pidiendo ser desuscripto.
> ------------------------------------



* Dr. Pablo I. Tamborenea
* Profesor Asociado D.E.
* Departamento de Física, FCEN, UBA
* http://www.df.uba.ar/users/pablot