[Todos] Coloquios del Departamento de Física (jueves 30/8 14hs, aula Federman)

[pdmitruk en df.uba.ar]

COLOQUIOS DEL DEPARTAMENTO DE FÍSICA FCEYN - UBA

http://www.df.uba.ar/index.php?option=com_content&view=article&id=6623&Itemid=192

    Charlas, café y masitas

    En el Aula Federman, 1er piso, Pabellón I, Ciudad Universitaria

    Jueves 30/8, 14hs:

    CONMUTACION RESISTIVA
    
    MARCELO ROZENBERG

    DF-FCEN-UBA

  Las memoria resistivas de acceso aleatorio (RRAM) consisten en
  estructuras tipo condensador, donde el  dieléctrico es un óxido de metal
transtition. Estos sistemas están emergiendo como fuertes candidatos para
la próxima generación de dispositivos de memoria electrónica no-volátil.
  En esta charla describiré la fenomenologia física básica de
la conmutación resistiva (resistive switching), y presentaré un modelo que
describe el fenómeno observado en muchos óxidos de metales de transición
de tipo perovskita. El estudio numérico del modelo predice que el efecto se
debe a la distribución espacialmente heterogénea de vacantes de oxígeno
debidas a los fuertes campos eléctricos que se desarrollan en la proximidad
  de los electrodos. Los resultados teóricos del modelo son validados a
través de la comparación con experimentos no-triviales de
  fenomenos de histéresis en la resistencia, observados en cupratos
  (YBCO) y en muestras de manganitas (PCLMO). Los resultados de las
simulaciones del modelo nos permitieron proponer un nuevo tipo de celda de
memoria multi-nivel no-volátil. Presentaremos los resultados recientes de
una implementación de un dispositivo de memoria de 6-bits.
    
------------ próxima parte ------------
Se ha borrado un adjunto en formato HTML...
URL: http://mail.df.uba.ar/pipermail/todos/attachments/20120827/496bd0fe/attachment.html