[Todos] Coloquios del Departamento de Física (hoy jueves 30/8 14hs, Aula Federman)

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Recordamos el coloquio de hoy,

  COLOQUIOS DEL DEPARTAMENTO DE FÍSICA FCEYN - UBA

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    Charlas, café y masitas

    En el Aula Federman, 1er piso, Pabellón I, Ciudad Universitaria

    Jueves 30/8, 14hs:

    CONMUTACION RESISTIVA
    
    MARCELO ROZENBERG

    DF-FCEN-UBA

  Las memoria resistivas de acceso aleatorio (RRAM) consisten en
  estructuras tipo condensador, donde el  dieléctrico es un óxido de metal
  transtition. Estos sistemas están emergiendo como fuertes candidatos para
  la próxima generación de dispositivos de memoria electrónica no-volátil.
  En esta charla describiré la fenomenologia física básica de
  la conmutación resistiva (resistive switching), y presentaré un modelo
que
  describe el fenómeno observado en muchos óxidos de metales de transición
  de tipo perovskita. El estudio numérico del modelo predice que el
efecto se
  debe a la distribución espacialmente heterogénea de vacantes de oxígeno
  debidas a los fuertes campos eléctricos que se desarrollan en la
proximidad
  de los electrodos. Los resultados teóricos del modelo son validados a
  través de la comparación con experimentos no-triviales de
  fenomenos de histéresis en la resistencia, observados en cupratos
  (YBCO) y en muestras de manganitas (PCLMO). Los resultados de las
  simulaciones del modelo nos permitieron proponer un nuevo tipo de celda
de
  memoria multi-nivel no-volátil. Presentaremos los resultados recientes de
  una implementación de un dispositivo de memoria de 6-bits.
    
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