[Todos] HOY - Verónica Vildosola - Modelando materiales con DFT y más allá: desde superconductores hasta electrodos para baterías

[Coloquios DF-Exactas UBA]

*Jueves 16 de junio a las 14hs*
Coloquio del Departamento de Física - Exactas - UBA
*Aula Federman *- Segundo Piso - Pabellón 1 - Ciudad Universitaria - CABA
*(Recuerden traer su propia taza para el café)*


*Modelando materiales con DFT y más allá: desde superconductores hasta
electrodos para baterías*
*Verónica Vildosola - Centro Atómico Constituyentes - CNEA*
El avance de la ciencia y el desarrollo de nuevas tecnologías depende en
gran medida del grado de conocimiento que tenemos de los materiales, de sus
propiedades electrónicas, ópticas, maǵnéticas, fisicoquímicas, etc.
El estudio de los materiales implica el gran desafío de describir sistemas
de muchos electrones interactuantes. La teoría de la funcional de la
densidad (DFT) ha provisto uno de los esquemas de cálculo más exitosos para
estudiarlos en forma realista, desde primeros principios, lo que ha
permitido explicar innumerables fenómenos físicos y  predecir nuevos
comportamientos e incluso diseñar nuevos materiales.
La gran complejidad de los sistemas de muchos electrones en la mayoría de
los materiales, radica en que pueden coexistir estados con una gran
localización espacial y fuertemente interactuantes con otros más
delocalizados y de interacción débil. En muchos de estos casos es necesario
recurrir a desarrollos teóricos más allá de DFT.
En este coloquio, les contaré muy brevemente la esencia de la teoría DFT y
algunos de estos desarrollos.
Finalmente, describiré algunas aplicaciones en las que hemos estado
trabajando últimamente en nuestros grupo. En el área de energía y medio
ambiente, mencionaré  el estudio fisicoquimico para convertir CO2 en otros
compuestos químicos mediante la electroreducción sobre distintos sustratos
y las contribuciones de DFT sobre el la proceso de recarga de la batería de
Li-O2. Por último, les contaré sobre la generación de estados
superconductores bidimensionales en la interfaz con el semiconductor
BaBiO3.
------------ próxima parte ------------
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