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Por favor, difundir a los posibles interesados:<br><br>
Se ofrecen temas de trabajo para acceder a becas doctorales del
Conicet.<br>
(ver bases en
<a href="http://convocatorias.conicet.gov.ar/wp-content/uploads/sites/3/BASES-DOCTORAL-GENERAL-20161.pdf" eudora="autourl">
http://convocatorias.conicet.gov.ar/wp-content/uploads/sites/3/BASES-DOCTORAL-GENERAL-20161.pdf</a>
)<br><br>
La investigación se llevará a cabo en el laboratorio de Bajas
Temperaturas (DF-FCEyN-UBA & IFIBA-CONICET) bajo la dirección del
<b>Dr. Carlos Acha</b>. (Colaboraciones con CNRS-Francia, Centro Atómico
Constituyentes-CNEA, INFIP-Conicet, INTI).<br>
(Ver también "información para estudiantes" en
<a href="http://www.lbt.df.uba.ar/" eudora="autourl">
http://www.lbt.df.uba.ar/</a>)<br><br>
<br>
<b>Título: Memoria resistiva en aislantes de Mott<br>
</b>Los aislantes de Mott son materiales que presenten fuertes
correlaciones electrónicas que llegan a alterar las propiedades
eléctricas de los mismos. Un ejemplo de ellos es la familia de
calcogenuros AM4X8 (M=Ga,V ; X=Se,S) que son aislantes a pesar de que los
cálculos de banda indican que debieran ser metales.<br>
Nuestro proyecto se propone entender mejor las características de estos
aislantes de Mott induciendo la transición del aislador al metal gracias
a la aplicación de una presión externa. Para ello, se realizaran
mediciones de transporte eléctrico en función de la temperatura aplicando
presiones hidrostáticas de hasta 20 GPa. De esta manera se tratará de
lograr una caracterización del diagrama de fases T-P de estos materiales
poniendo en evidencia las distintas zonas que predicen modelos teóricos:
el semiconductor, el aislante de Mott, el metal correlacionado, el “metal
pobre” y una zona de coexistencia entre el metal y el aislador. En
paralelo se realizaran cálculos de su estructura electrónica buscando
poner en evidencia su cercanía o no con otros aislantes de Mott
prototípicos como el V2O3.<br>
Se tomará este diagrama de fases como punto de partida para tratar de
optimizar las propiedades de memoria volátil y no-volátil que ya han sido
puestas en evidencia mediante la aplicación de campo eléctrico en estos
materiales y en sus derivados a presión ambiente. Se espera que la
aplicación de presión permita favorecer la aparición del estado conductor
que induce el campo eléctrico y así, por similitudes y diferencias
entender los mecanismos que regulan la aparición de memoria con el fin de
optimizar dispositivos de memoria basados en la conmutación resistiva
(Mott-RRAM).<br><br>
<br>
<b>Título: Conmutación resistiva en CuO<br>
</b>Las observaciones de conmutación resistiva inducida por pulsos
eléctricos en diversas interfases metal-óxido a temperatura ambiente
crearon una gran atención en los últimos años por su potencial aplicación
para construir una nueva generación de memorias no volátiles de estado
sólido (llamadas <b><i>memristores</i></b>), gracias a su menor consumo
de energía, su capacidad de fusionar localmente elementos tanto lógicos
como de almacenamiento de un estado y, principalmente, la posibilidad de
reducir su tamaño más allá del límite actual para el funcionamiento de
las memorias flash.<br>
En este plan de trabajo doctoral se buscará profundizar el conocimiento
sobre la conmutación resistiva en interfaces metal / óxidos simples
(principalmente en CuO, pudiéndose extender los estudios a SnO, ZnO),
realizados en películas delgadas mediante la técnica de PLD (en
colaboración con CAC-CNEA). El objetivo es el de lograr un buen control
de la conmutación, poniendo en evidencia los parámetros que la determinan
y revelar si la misma se debe a la creación de filamentos conductores de
dimensionalidad reducida. Se analizarán posibles aplicaciones como
dispositivos de memoria no volátil a ser empleados en medios
hostiles.<br><br>
<br>
Para más información, comunicarse con el Dr. Carlos Acha (acha@df.uba.ar)
hasta el 22 de julio de 2016. <br><br>
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Prof. C.
Acha<x-tab> </x-tab><x-tab>
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Phone:
(54-11) 4576-3300/09 ext 276 (Lab)<br>
Lab. de Bajas
Temperaturas<x-tab> </x-tab><x-tab>
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4576-3390 ext 831 (Off)<br>
Depto. de Fisica - FCEyN -
UBA
Fax: (54-11) 4576-3357<br>
Ciudad Universitaria, PAB
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(C1428EHA) Buenos
Aires<x-tab> </x-tab><x-tab>
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<a href="http://www.df.uba.ar/users/acha" eudora="autourl">
http://www.df.uba.ar/users/acha<br>
</a>Argentina<x-tab> </x-tab>
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E-mail: acha@df.uba.ar<br><br>
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