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<p><strong>PROPUESTA DE BECA DOCTORAL (UBACyT 2020)</strong><br>
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Título: <strong>Mecanismos de conducción en Memristores</strong><br>
Director: Dr. Carlos Acha (acha@df.uba.ar)<br>
Co-Director: Dr. Alberto Camjayi (alberto@df.uba.ar)<br>
Lugar: Depto. de Física, FCEyN-UBA & IFIBA-CONICET.<br>
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(Fecha límite de presentación online: 6 de abril de 2020)<br>
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Se propone la realización de un trabajo de investigación con un <strong>enfoque teórico-experimental</strong>, cuyo <strong>objetivo principal</strong> de esta propuesta de Tesis Doctoral es el de profundizar nuestro conocimiento del <strong><span lang="ES" style="font-size: 10.5pt; font-family: Arial, sans-serif;">mecanismo</span></strong><span lang="ES" style="font-size: 10.5pt; font-family: Arial, sans-serif;"><strong> de conducción eléctrica</strong> ligado a las modificaciones que determina la existencia de la </span><strong><span style='font-family:"Arial",sans-serif'>conmutación resistiva (CR) tanto volátil como no volátil. Se determinará así </span></strong>cuáles son <strong><span style='font-family:"Arial",sans-serif'>los cambios microscópicos</span></strong> que se producen y se pondrá en evidencia <strong><span style='font-family:"Arial",sans-serif'>la influencia que los diferentes parámetros de los materiales</span></strong> involucrados tienen sobre la CR. Según los materiales empleados, estos parámetros pueden estar asociados a la función trabajo y al potencial de oxidación de los metales, a los defectos y la microestructura de los óxidos, a la barrera Schottky de la interface, a la existencia o no de un mecanismo de conducción del tipo Poole-Frenkel o SCLC o a la estabilización parcial de la transición de Mott en materiales con fuertes correlaciones electrónicas.<br>
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Como <strong>objetivos particulares</strong>, se buscará <strong>modelizar el proceso de conducción</strong> y determinar los cambios que se introducen en el proceso de conmutación resistiva (CR) en interfaces basadas en <strong>óxidos simples</strong> (TiO2 o CuO) o <strong>complejos</strong> (cobaltitas, manganitas o cupratos superconductores) o de <strong>aislantes de Mott</strong> (GaTa4Se8 o Sr2IrO4), que suelen producir una <strong>memoria resistiva del tipo no volátil (memristores)</strong>. Se buscará lograr <strong>un modelo circuital</strong> que capte lo esencial de los procesos microscópicos involucrados y que permita así un <strong>óptimo control de la CR</strong>, en base a la elección de los materiales empleados como de los protocolos de escritura-borrado utilizados, con el fin último de intentar <strong>generar dispositivos de memoria</strong> confiables, que puedan operar bajo condiciones particulares (de amplitud térmica o bajo radiación ionizante), donde la electrónica tradicional no opera convenientemente (satélites, climas extremos). En estas condiciones se podrá también explorar la realización de <strong>redes neuronales</strong> completamente basadas en dispositivos de estado sólido. En cuanto a la <strong>memoria resistiva volátil</strong>, que permite reproducir algunos de los comportamientos eléctricos típicos a los observados en partes de sistemas nerviosos (principalmente neuronas), nos focalizaremos principalmente en el <strong>estudio teórico y experimental de</strong> <strong>aislantes de Mott</strong>, donde se buscará estudiar <strong>la sensibilidad a la temperatura, a la presión y a los campos eléctrico y magnético de la transición de Mott.</strong><br>
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<table align="left" cellpadding="0" cellspacing="0">
<tbody>
<tr>
<td height="172"> </td>
</tr>
<tr>
<td> </td>
<td> </td>
</tr>
</tbody>
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<img alt="" src="https://mail.df.uba.ar/horde/imp/view.php?actionID=compose_attach_preview&composeCache=7fDKSoyj63HMm1KifN9szS6&id=1" style="width: 484px; height: 160px; float: left;"><img alt="" src="https://mail.df.uba.ar/horde/imp/view.php?actionID=compose_attach_preview&composeCache=7fDKSoyj63HMm1KifN9szS6&id=2" style="width: 392px; height: 286px;"><br>
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Ejemplos de dispositivos, caracterizaciones eléctricas y cálculos (LDA+DMFT) que serán abordados a lo largo de laTesis Doctoral.<br>
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<span style="font-size:16px;">Para más información sobre el tema propuesto, contarse por mail con Carlos Acha (acha@df.uba.ar) o con Alberto Camjayi (alberto@df.uba.ar)</span></strong><br>
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<span style="font-family: Tahoma, Arial, Helvetica, sans-serif; font-size: 13.3333px;"><span style="background-color:#ffff00;">Con respecto a la Convocatoria a Becas UBACyT</span>, las fechas de la postulación online a través del Sigeva UBA (</span><a href="https://sigeva.rec.uba.ar/" rel="noopener noreferrer" style="font-family: Tahoma, Arial, Helvetica, sans-serif; font-size: 13.3333px;" target="q-5BWi6Gy1dm5YVsZs5vieT">https://sigeva.rec.uba.ar/</a><span style="font-family: Tahoma, Arial, Helvetica, sans-serif; font-size: 13.3333px;">) continúan siendo las mismas (hasta el <span style="background-color:#ffff00;">6 de abril</span>).</span></p>
<p style="font-family: Tahoma, Arial, Helvetica, sans-serif; font-size: 13.3333px;">En cuanto a la versión impresa de la postulación, la UBA informará a la brevedad los plazos de entrega de la documentación correspondiente.</p>
<p style="font-family: Tahoma, Arial, Helvetica, sans-serif; font-size: 13.3333px;">Ante cualquier consulta contactarse con: <a>becas@rec.uba.ar</a> / 5285-5230</p>
<p style="font-family: Tahoma, Arial, Helvetica, sans-serif; font-size: 13.3333px;">Convocatoria: <a href="https://exactas.uba.ar/becas-de-investigacion/becas-uba/" rel="noopener noreferrer" target="zKQ-yd03_WATlVZJbbgysWf">https://exactas.uba.ar/becas-de-investigacion/becas-uba/</a></p>
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<div>Prof. C. Acha Office: (+54-11) 528 -57429 </div>
<div>Lab. de Bajas Temperaturas Lab: -57413 </div>
<div>Depto. de Fisica - FCEyN - UBA Headquarters: -57565 </div>
<div>Ciudad Universitaria, PAB I Fax: (+54-11) 528 -57570</div>
<div>(C1428EHA) Buenos Aires http://www.df.uba.ar/users/acha</div>
<div>Argentina E-mail: acha@df.uba.ar</div>
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