[Todos] Posibilidad de Becas Doctorales (Conicet)

[Carlos Acha]

Por favor, difundir a los posibles interesados:

Se ofrecen temas de trabajo para acceder a becas doctorales del Conicet.
(ver bases en 
http://convocatorias.conicet.gov.ar/wp-content/uploads/sites/3/BASES-DOCTORAL-GENERAL-20161.pdf)

La investigación se llevará a cabo en el 
laboratorio de Bajas Temperaturas (DF-FCEyN-UBA & 
IFIBA-CONICET) bajo la dirección del Dr. Carlos 
Acha. (Colaboraciones con CNRS-Francia, Centro 
Atómico Constituyentes-CNEA, INFIP-Conicet, INTI).
(Ver también "información para estudiantes" en http://www.lbt.df.uba.ar/)


Título: Memoria resistiva en aislantes de Mott
Los aislantes de Mott son materiales que 
presenten fuertes correlaciones electrónicas que 
llegan a alterar las propiedades eléctricas de 
los mismos. Un ejemplo de ellos es la familia de 
calcogenuros AM4X8 (M=Ga,V ; X=Se,S) que son 
aislantes a pesar de que los cálculos de banda 
indican que debieran ser metales.
Nuestro proyecto se propone entender mejor las 
características de estos aislantes de Mott 
induciendo la transición del aislador al metal 
gracias a la aplicación de una presión externa. 
Para ello, se realizaran mediciones de transporte 
eléctrico en función de la temperatura aplicando 
presiones hidrostáticas de hasta 20 GPa. De esta 
manera se tratará de lograr una caracterización 
del diagrama de fases T-P de estos materiales 
poniendo en evidencia las distintas zonas que 
predicen modelos teóricos: el semiconductor, el 
aislante de Mott, el metal correlacionado, el 
“metal pobre” y una zona de coexistencia entre el 
metal y el aislador. En paralelo se realizaran 
cálculos de su estructura electrónica buscando 
poner en evidencia su cercanía o no con otros 
aislantes de Mott prototípicos como el V2O3.
Se tomará este diagrama de fases como punto de 
partida para tratar de optimizar las propiedades 
de memoria volátil y no-volátil que ya han sido 
puestas en evidencia mediante la aplicación de 
campo eléctrico en estos materiales y en sus 
derivados a presión ambiente. Se espera que la 
aplicación de presión permita favorecer la 
aparición del estado conductor que induce el 
campo eléctrico y así, por similitudes y 
diferencias entender los mecanismos que regulan 
la aparición de memoria con el fin de optimizar 
dispositivos de memoria basados en la conmutación resistiva (Mott-RRAM).


Título: Conmutación resistiva en CuO
Las observaciones de conmutación resistiva 
inducida por pulsos eléctricos en diversas 
interfases metal-óxido a temperatura ambiente 
crearon una gran atención en los últimos años por 
su potencial aplicación para construir una nueva 
generación de memorias no volátiles de estado 
sólido (llamadas memristores), gracias a su menor 
consumo de energía, su capacidad de fusionar 
localmente elementos tanto lógicos como de 
almacenamiento de un estado y, principalmente, la 
posibilidad de reducir su tamaño más allá del 
límite actual para el funcionamiento de las memorias flash.
En este plan de trabajo doctoral se buscará 
profundizar el conocimiento sobre la conmutación 
resistiva en interfaces metal / óxidos simples 
(principalmente en CuO, pudiéndose extender los 
estudios a SnO, ZnO), realizados en películas 
delgadas mediante la técnica de PLD (en 
colaboración con CAC-CNEA). El objetivo es el de 
lograr un buen control de la conmutación, 
poniendo en evidencia los parámetros que la 
determinan y revelar si la misma se debe a la 
creación de filamentos conductores de 
dimensionalidad reducida. Se analizarán posibles 
aplicaciones como dispositivos de memoria no 
volátil a ser empleados en medios hostiles.


Para más información, comunicarse con el Dr. 
Carlos Acha (acha en df.uba.ar) hasta el 22 de julio de 2016.



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Prof. C. Acha                              Phone: 
(54-11) 4576-3300/09  ext 276 (Lab)
Lab. de Bajas 
Temperaturas                                4576-3390      ext 831 (Off)
Depto. de Fisica - FCEyN - UBA          Fax:     (54-11) 4576-3357
Ciudad Universitaria, PAB I
(C1428EHA) Buenos Aires         http://www.df.uba.ar/users/acha
Argentina                                   E-mail: acha en df.uba.ar

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