[Todos] propuesta de Beca Doctoral (UBACyT 2020) / Mecanismos de conducción en Memristores

[Carlos Acha]

PROPUESTA DE BECA DOCTORAL (UBACYT 2020)
 
Título:                         MECANISMOS DE CONDUCCIóN EN MEMRISTORES
Director:                      Dr. Carlos Acha (acha en df.uba.ar)
Co-Director:                Dr. Alberto Camjayi (alberto en df.uba.ar)
Lugar:                         Depto. de Física, FCEyN-UBA & IFIBA-CONICET.

(Fecha límite de presentación online: 6 de abril de 2020)
 
           Se propone la realización de un trabajo de investigación  
con un ENFOQUE TEóRICO-EXPERIMENTAL, cuyo OBJETIVO PRINCIPAL de esta  
propuesta de Tesis Doctoral es el de profundizar nuestro conocimiento  
del MECANISMO DE CONDUCCIóN ELéCTRICA ligado a las modificaciones que  
determina la existencia de la CONMUTACIóN RESISTIVA (CR) TANTO VOLáTIL  
COMO NO VOLáTIL. SE DETERMINARá ASí cuáles son LOS CAMBIOS  
MICROSCóPICOS que se producen y se pondrá en evidencia LA INFLUENCIA  
QUE LOS DIFERENTES PARáMETROS DE LOS MATERIALES involucrados tienen  
sobre la CR. Según los materiales empleados, estos parámetros pueden  
estar asociados a la función trabajo y al potencial de oxidación de  
los metales, a los defectos y la microestructura de los óxidos, a la  
barrera Schottky de la interface, a la existencia o no de un mecanismo  
de conducción del tipo Poole-Frenkel o SCLC o a la estabilización  
parcial de la transición de Mott en materiales con fuertes  
correlaciones electrónicas.
 
          Como OBJETIVOS PARTICULARES, se buscará MODELIZAR EL PROCESO  
DE CONDUCCIóN y determinar los cambios que se introducen en el proceso  
de conmutación resistiva (CR) en interfaces basadas en óXIDOS SIMPLES  
(TiO2 o CuO) o COMPLEJOS (cobaltitas, manganitas o cupratos  
superconductores) o de AISLANTES DE MOTT (GaTa4Se8 o Sr2IrO4), que  
suelen producir una MEMORIA RESISTIVA DEL TIPO NO VOLáTIL  
(MEMRISTORES). Se buscará lograr UN MODELO CIRCUITAL que capte lo  
esencial de los procesos microscópicos involucrados y que permita así  
un óPTIMO CONTROL DE LA CR, en base a la elección de los materiales  
empleados como de los protocolos de escritura-borrado utilizados, con  
el fin último de intentar GENERAR DISPOSITIVOS DE MEMORIA confiables,  
que puedan operar bajo condiciones particulares (de amplitud térmica o  
bajo radiación ionizante), donde la electrónica tradicional no opera  
convenientemente (satélites, climas extremos). En estas condiciones se  
podrá también explorar la realización de REDES NEURONALES  
completamente basadas en dispositivos de estado sólido. En cuanto a la  
MEMORIA RESISTIVA VOLáTIL, que permite reproducir algunos de los  
comportamientos eléctricos típicos a los observados en partes de  
sistemas nerviosos (principalmente neuronas), nos focalizaremos  
principalmente en el ESTUDIO TEóRICO Y EXPERIMENTAL DE AISLANTES DE  
MOTT, donde se buscará estudiar LA SENSIBILIDAD A LA TEMPERATURA, A LA  
PRESIóN Y A LOS CAMPOS ELéCTRICO Y MAGNéTICO DE LA TRANSICIóN DE MOTT.


    
     	     

 
 
 

 Ejemplos de dispositivos, caracterizaciones eléctricas y cálculos  
(LDA+DMFT) que serán abordados a lo largo de laTesis Doctoral.

 

PARA MáS INFORMACIóN SOBRE EL TEMA PROPUESTO, CONTARSE POR MAIL CON  
CARLOS ACHA (ACHA en DF.UBA.AR) O CON ALBERTO CAMJAYI (ALBERTO en DF.UBA.AR)

Con respecto a la Convocatoria a Becas UBACyT, las fechas de la  
postulación online a través del Sigeva UBA  
(https://sigeva.rec.uba.ar/) continúan siendo las mismas (hasta el 6  
de abril).
  En cuanto a la versión impresa de la postulación, la UBA informará a  
la brevedad los plazos de entrega de la documentación correspondiente.

  Ante cualquier consulta contactarse con: becas en rec.uba.ar[1] / 5285-5230

  Convocatoria: https://exactas.uba.ar/becas-de-investigacion/becas-uba/



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